直拉單晶體爐假造逼真管理體制先容

• 學(xue)科情境(jing)及裝備整體容納六個(ge)1：1，即1：1三維建(jian)模； 1：1 逼真；1：1“剖解式”授課體例

• 即在(zai)假造(zao)仿真技術(shu)的問題(ti)下，同學們就象(xiang)設身(shen)陷地，可凈心360°無方位凈心休會(hui)裝(zhuang)配(pei)(pei)使用，步奏演(yan)示(shi)軟件，原(yuan)理傳授，抽象(xiang)化感動染病裝(zhuang)配(pei)(pei)裝(zhuang)配(pei)(pei)運作(zuo)及的任務原(yuan)理等(deng)

• 培訓課可按不(bu)能支(zhi)配(pei)(pei)者(zhe)及支(zhi)配(pei)(pei)場所，派發不(bu)能的支(zhi)配(pei)(pei)最(zui)高權(quan)限(xian)及支(zhi)配(pei)(pei)模式

• 教員講學結構類型

• 幼兒培訓的方式

• 的(de)課(ke)(ke)堂(tang)散(san)播(bo)式補辦，的(de)課(ke)(ke)堂(tang)除并能在(zai)(zai)課(ke)(ke)堂(tang)勤奮努力修(xiu)，初(chu)中(zhong)生也并能在(zai)(zai)條記本等挪動在(zai)(zai)乎地方上，在(zai)(zai)課(ke)(ke)余時持(chi)續保(bao)持(chi)培(pei)訓(xun)學校。然(ran)而教員并能規定(ding)初(chu)中(zhong)生培(pei)訓(xun)學校些什么的(de)課(ke)(ke)堂(tang)，邁(mai)入些什么方式，做出每一個小我而性需求(qiu)操練。

• 直拉單晶硅體例

• 拉晶法

• 直拉法 （切克勞斯基(ji)法、CZ法）：操作受(shou)壓著的(de)籽晶

• 從(cong)坩堝中(zhong)的稀硫酸提拉光(guang)催化(hua)原(yuan)理出單(dan)晶(jing)體的體例(li)

• 經過發展對拉晶的(de)(de)點(dian)生廠(chang)紫(zi)裝(zhuang)，1：1繪(hui)制(zhi)（爭對的(de)(de)點(dian)零部件 外選址(zhi)(zhi)合(he)理(li)繪(hui)制(zhi)）； 主要生廠(chang)步奏、哲理(li)，Unityh動畫增添(tian)；的(de)(de)點(dian)紫(zi)裝(zhuang)1：1“剖解式”摸(mo)具增添(tian)。即：可在假造癥(zheng)狀下無(wu)拘(ju)無(wu)束拆御紫(zi)裝(zhuang)紫(zi)裝(zhuang)，看查紫(zi)裝(zhuang)選址(zhi)(zhi)合(he)理(li)，也(ye)可在紫(zi)裝(zhuang)在機器(qi)運行的(de)(de)的(de)(de)現象下無(wu)拘(ju)無(wu)束看查紫(zi)裝(zhuang) 外的(de)(de)在機器(qi)運行的(de)(de)現象和目標哲理(li)。

  

• 硅資料VR假造(zao)仿(fang)(fang)真技(ji)術采集裝修(xiu)標準(zhun)仿(fang)(fang)-直拉單晶硅爐戰(zhan)勝(sheng)困難采集裝修(xiu)標準(zhun)（混仿(fang)(fang)）

• 直拉單晶體爐仿真軟件模貝外部操作方法具體步驟：關機后主爐室（剖面空間布局圖）是渾然被亮起摹擬蒸汽加熱，鉗堝起伏體制滯后上漲、晶棒滯后拖出來，晶棒做到上爐筒（剖面空間布局圖）內后決裂管道閥門半封閉。上爐筒上漲并受壓晶棒下派完成目標取晶。完成目標做全套外部操作方法后上爐筒從腳來到肇端道德水準，坩堝來到肇端道德水準，主爐室是渾然然燒，再度單擊運行功能鍵從腳操作方法上機器設備外部。
• 生產技術過程

? 抽真空? 檢漏? 調壓? 熔料? 不減(jian)? 熔接? 引晶? 放肩? 轉肩? 等(deng)徑? 掃尾(wei)? 停爐? 硫化